中文字幕爆乳julia女教师丨人妻少妇乱子伦精品无码专区电影丨а√天堂8资源在线官网丨亚洲国产成人丁香五月激情丨久久精品国产精品亚洲38

安森美SiC MOSFET技術引領高效能源的未來

發布時間：2025-11-05 09:01:05     瀏覽：136

　　為什么選擇SiC?

　　相比傳統硅器件，碳化硅(SiC)具有明顯優勢：

　　耐壓更高(10倍于硅)

　　耐溫更好(3倍于硅)

　　發熱更低

　　開關更快

安森美SiC MOSFET技術引領高效能源的未來

　　安森美(onsemi) SiC MOSFET的核心優勢

　　安森美最新推出的1200V/900V SiC MOSFET系列(如NTHL020N120SC1)展現出顯著的技術亮點：

　　超低導通電阻(RDSon)：大幅降低傳導損耗

　　優化的柵極驅動(Rg=1.81Ω)：實現更快開關速度

　　無閾值電壓漂移：長期穩定性優于競品

　　高dv/dt耐受能力(>100V/ns)：抗干擾性強

　　應用案例：在太陽能逆變器中，采用SiC MOSFET可降低系統損耗達30%，效率輕松突破98%。

1200V/900V SiC MOSFET

　　主要應用場景

　　1. 太陽能逆變器

　　特點：效率更高(>98%)、體積更小

　　趨勢：

　　小型逆變器：采用SiC分立器件

　　大型逆變器：逐步轉向全SiC模塊

　　2. 電動車充電

　　快充樁：必須使用SiC

　　充電更快

　　設備更小

　　發熱更少

　　典型案例：特斯拉超充已全面采用SiC

安森美SiC MOSFET

深圳市立維創展科技有限公司優勢提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC電源轉換器模塊及碳化硅(SiC)產品，歡迎咨詢了解。

推薦資訊

  • IR21844SPBF 600V半橋柵極驅動器IC
    IR21844SPBF 600V半橋柵極驅動器IC 2024-09-18 09:39:31

    IR21844SPBF 是一款專為驅動 IGBT 和 MOSFET 設計的 600V 半橋柵極驅動器 IC，具備高電壓容限、低傳播延遲和雙通道欠壓鎖定功能，適用于電機控制和電源應用。其主要特性包括 600V 電壓等級、1.9A 拉電流和 2.3A 灌電流輸出、多種封裝形式（14 引腳 SOIC、14 引腳 PDIP、8 引腳 SOIC、8 引腳 PDIP）、10V 至 20V 柵極驅動電壓范圍、3.3V 和 5V 輸入邏輯兼容性、雙通道欠壓鎖定功能（VCC 和 VBS）、以及較低的 di/dt 柵極驅動器設計。該器件適用于電機控制、電動工具、電源集中式逆變器解決方案和家用電器等多種應用。

  • MTI-milliren270系列OCXO恒溫晶振
    MTI-milliren270系列OCXO恒溫晶振 2024-01-31 08:40:36

    MTI-milliren270 系列是一款超高穩定性、高可靠性的雙烤箱控制晶體振蕩器 (OCXO)。該系列振蕩器采用行業標準的 Euro CO-08 封裝設計，是 230 系列 OCXO 產品線的直接替代品。這樣就可以升級系統性能，以滿足新的苛刻要求，而無需重新設計。

在線留言

在線留言