Wi2Wi VN05系列恒溫晶體振蕩器OCXO 10MHz至50MHz
發(fā)布時(shí)間:2025-02-25 09:24:12 瀏覽:3191
VN05系列是一款高精度的恒溫晶體振蕩器,專(zhuān)為高要求的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。它采用了雙層密封的石英晶體技術(shù),能夠在高振動(dòng)環(huán)境中保持出色的性能,并且具備極低的相位噪聲。此外,該系列產(chǎn)品還可以根據(jù)客戶(hù)需求定制頻率,滿(mǎn)足多樣化的應(yīng)用需求。

主要特性
1. 高精度頻率輸出
頻率范圍:10.000MHz至50.000MHz。
頻率穩(wěn)定性:
溫度穩(wěn)定性:±5ppb至±100ppb(根據(jù)型號(hào)不同)。
供電電壓變化(5%變化):最大±2ppb。
負(fù)載變化(10%變化):最大±2ppb。
年老化率:最大±200ppb。
開(kāi)機(jī)3分鐘后校準(zhǔn)精度(25°C時(shí)):最大±100ppb。
2. 低相位噪聲
相位噪聲典型值:
1Hz處:-90dBc/Hz。
10Hz處:-120dBc/Hz。
100Hz處:-140dBc/Hz。
1kHz處:-150dBc/Hz。
10kHz處:-150dBc/Hz。
3. 寬工作電壓和溫度范圍
工作電壓范圍:3.3V至12.0V(±5%)。
工作溫度范圍:根據(jù)型號(hào)不同,可選0~+70°C、-20~+70°C、-40~+85°C。
存儲(chǔ)溫度范圍:-55°C至+85°C。
4. 多種輸出格式
數(shù)字輸出:支持TTL/CMOS或LVCMOS,電壓范圍為3.3V至5.0V。
模擬輸出:正弦波,功率范圍為0.0至6.0dBm。
負(fù)載特性:TTL/CMOS或LVCMOS負(fù)載為15pF,正弦波負(fù)載為50Ω。
5. 頻率調(diào)整能力
頻率微調(diào)范圍:最小±500ppb。
電壓控制范圍:0至Vref(參考電壓)。
參考電壓輸出:+5.0V(±2.0%)。
6. 低功耗
開(kāi)機(jī)3分鐘內(nèi)功耗:最大5W。
穩(wěn)態(tài)功耗(25°C時(shí)):最大1.5W。
7. 封裝與尺寸
封裝尺寸:25.40mm(長(zhǎng))×22.00mm(寬)×13.00mm(高)。
8. 定制化能力
提供標(biāo)準(zhǔn)頻率和定制頻率選項(xiàng),滿(mǎn)足不同客戶(hù)的需求。
應(yīng)用場(chǎng)景
VN05系列適用于對(duì)頻率精度和穩(wěn)定性要求極高的領(lǐng)域,如:
通信基站和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。
雷達(dá)系統(tǒng)。
高精度測(cè)量?jī)x器。
航空航天和國(guó)防領(lǐng)域。
訂購(gòu)指南:

更多Wi2Wi(PDI) 晶振晶體相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢(xún)立維創(chuàng)展。
相關(guān)推薦:
更多Wi2Wi品牌相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢(xún)立維創(chuàng)展。
推薦資訊
?IR-HiRel?氮化鎵(GaN)比硅具有根本的優(yōu)勢(shì)。特別是高臨界電場(chǎng)使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點(diǎn)。與硅MOSFET相比,GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容,非常適合于高速開(kāi)關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率,降低了系統(tǒng)的整體成本,而且允許更高的工作頻率,提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。
iNRCORE反激式變壓器:PL1496A,PL3290NL,PL3290,PL4761NL,PL4761,PL5066NL
在線(xiàn)留言