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LSJ74,SST74超低噪聲單P通道晶體管Linear Systems

發(fā)布時間:2024-05-23 09:10:10     瀏覽:851

LSJ74,SST74超低噪聲單P通道晶體管Linear Systems

  LSJ74和SST74是單P通道超低噪聲晶體管,適用于音頻和聲學應用。它們具有以下顯著的技術特性:

  1. 超低噪聲水平:在1kHz條件下,表現(xiàn)出極低的噪聲水平,適用于對信噪比要求高的應用。

  2. 高增益:LSJ74的典型Gis為22mS,可有效放大信號。

  3. 高輸入阻抗:減少信號源與晶體管之間的信號損失,提高信號傳輸效率。

  4. 低電容:減少高頻應用中的失真和相位偏移。

  此外,這些晶體管還具備其他重要的電氣特性:

  1. 最大限制評級:在不同溫度下有相應的最大允許工作溫度和功耗限制。

  2. 擊穿電壓:具有高的柵極到漏極擊穿電壓,提高在高電壓環(huán)境中的穩(wěn)定性。

  3. 漏電流與柵極電流:在規(guī)定條件下的漏電流和柵極電流限制有助于確保其穩(wěn)定、可靠的工作。

  LSJ74和SST74可在TO-92和SOT-89封裝形式中獲得,并提供裸片形式。它們是東芝2SJ74的直接替代品,適用于超低噪聲音頻/聲學應用。

SYMBOLCHARACTERISTICMINTYPMAXUNITS  CONDITIONS
BVgpSGate to Drain Breakdown Voltage25

V  Vos =0V,lg=100μA
VastoFFGate to Source Pinch-off Voltage0.15
2  Vos=-10V,lo=-0.1μA
lDssDrain to Source Saturation
Current
LSJ74A2.6
6.5mA  Vpg=-10V,Vgs=0V
LSJ74B6
-12
LSJ74C-10
20
LSJ74D-17
-30
lgGate Operating Current
50
pA  VoG=-10V,lo=-1mA
gssGate to Source Leakage Current

1nA  Vos =25V,Vps =0V
GissFull Conductance Transconductance822
mS  VoG=-10V,Vcs=0V,f=1kHz
enNoise Voltage
1.9
nV/VHz  Vos=-10V,lo=-2mA,f=1kHz
  NBW=1Hz

4
  Vos=-10V,lo=-2mA,f=10Hz
  NBW=1Hz
CissCommon Source Input Capacitance
105
pF  Vos=-10V,Vcs=0V,f=1MHz
CRSCommon Source Reverse Transfer Cap
32
  Vos=-10V,lo=0A,f=1MHz

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