SD211DE/SST211/SST213/SST215高速N溝道橫向DMOS FET開關(guān)Linear Systems
發(fā)布時(shí)間:2024-04-28 09:39:53 瀏覽:2970
Linear Systems的SD211DE/SST211/SST213/SST215系列是由增強(qiáng)型MOSFET組成的高速N溝道橫向DMOS (Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) FET開關(guān)。
這些器件的特點(diǎn)包括超快的開關(guān)速度(1ns)、極低的反電容(0.2pF)、適用于5V模擬制造可靠性、低導(dǎo)通閾值電壓以及n溝道增強(qiáng)模式。

其主要優(yōu)點(diǎn)包括高速系統(tǒng)性能、在高頻下低插入損耗、低傳輸信號(hào)損耗、簡單的驅(qū)動(dòng)要求以及單電源操作。這些特性使得該系列產(chǎn)品非常適用于快速模擬開關(guān)、快速取樣保持、Pixel-Rate切換、DAC Deglitchers和高速的驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用場景。
與SD211DE/SST211/SST213/SST215類似的產(chǎn)品還包括四陣列- SD5000/5400系列,以及采用橫向結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)低電容和超保護(hù)的SD210DE/214DE等產(chǎn)品。
PART NUMBER | V(BR)DS Min (V) | V(os)em Max (V) | FDS(on) Max (Q) | Css Max(pF) | toN Max (ns) |
SD211DE | 30 | 1.5 | 45 @ Vas=10V | 0.5 | 2 |
SD213DE | 10 | 1.5 | 45 @ Vas=10V | 0.5 | 2 |
SD215DE | 20 | 1.5 | 45 @ Vas=10V | 0.5 | 2 |
SST211 | 30 | 1.5 | 50 @ Vas=10V | 0.5 | 2 |
SST213 | 10 | 1.5 | 50 @ Vas=10V | 0.5 | 2 |
SST215 | 20 | 1.5 | 50 @ Vas=10V | 0.5 | 2 |
相關(guān)推薦:
立維創(chuàng)展優(yōu)勢(shì)代理Linear Systems產(chǎn)品,價(jià)格優(yōu)惠,歡迎咨詢。
推薦資訊
?IR HiRel?嵌入式開關(guān)電源IC專業(yè)設(shè)計(jì)為一系列電機(jī)控制系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域提供機(jī)電一體化電機(jī)控制系統(tǒng)解決方案,這其中小封裝外型和較少數(shù)量外部組件是必不可少的,包含窗戶升降機(jī)、天窗、雨刮器、燃料泵、暖通空調(diào)風(fēng)機(jī)、發(fā)動(dòng)機(jī)散熱風(fēng)機(jī)、水泵。
Solitron Devices SMF460 MOSFET適用于高電壓、高電流應(yīng)用(如電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和高功率開關(guān)電路),關(guān)鍵特性包括連續(xù)漏極電流10A、導(dǎo)通電阻300mΩ、內(nèi)置快速恢復(fù)二極管、能承受高能量脈沖等;封裝為TO-254密封封裝,有背面隔離,可進(jìn)行JANTX、JANTXV篩選;絕對(duì)最大額定值、電氣規(guī)格和熱阻等方面有一系列具體參數(shù),如漏源電壓650V、結(jié)溫范圍-55°C至150°C、熱阻1.08°C/W等。
在線留言