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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優異的動態導通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關。IR-HiRel不僅節省了功率，降低了系統的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統的整體效率。

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  Renesas高速運算放大器 (GBW >= 50MHz) 2021-08-13 16:49:41

  ?Renesas?的高速運算放大器(op amp)產品組合可在全帶寬下提供優質的性能功率比和優異的驅動程序和壓擺率性能指標。這使Renesas的運算放大器成為了視頻和高速數據傳輸、A/D緩沖和高頻濾波電路的理想選擇。