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  Vishay SIS626DN-T1-GE3 N溝道25V MOSFET 2024-05-16 09:31:15

  Vishay Siliconix的SIS626DN-T1-GE3是一款高效N溝道25V MOSFET，采用TrenchFET技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能。適用于適配器和負(fù)載開關(guān)，尤其在高側(cè)開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。該器件在Vgs=10V時提供25V漏源電壓和0.0115Ω導(dǎo)通電阻，支持高達(dá)15.1A的連續(xù)漏極電流和32A的脈沖電流，同時具備良好的熱特性。

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  Statek SWCX4V/SWCX4石英晶體 2024-10-30 09:23:55

  Statek公司的SWCX4V和SWCX4晶體專為抗輻射應(yīng)用設(shè)計，采用高溫電掃工藝的培養(yǎng)石英，能耐受超過100 krad的輻射劑量，保持頻率穩(wěn)定。特點包括高沖擊電阻、超高可靠性、客戶定制設(shè)計、低老化率、嚴(yán)格的無塵室生產(chǎn)工藝，適用于軍用和航天級應(yīng)用，如衛(wèi)星系統(tǒng)、太空探索任務(wù)和深空探測器。