亚洲人成中文字幕在线观看,18禁在线永久免费观看,三个男人躁我一个爽视频免费

ADI晶圓各種材料工藝對應輸出功率及頻率

發布時間：2021-05-21 17:09:32 瀏覽：2646

在電子器件中，射頻和功率應用是主要的。GaN on SiC、GaN自支撐襯底、GaAs襯底、GaAs on Si主要用于射頻半導體(射頻前端PA等)，而Gan on Si和SiC襯底主要用于功率半導體(汽車電子學等)。

由于其高功率密度，GaN在基站大功率器件領域具有獨特的優勢。與硅襯底相比，SiC襯底具有更好的導熱特性。目前，工業上95%以上的GaN射頻器件使用SiC襯底，如Qorvo是基于SiC襯底的，硅基GaN器件可以在8英寸的晶片上制作，具有更高的成本優勢。在功率半導體領域中，SiC襯底與GaN on Silicon的競爭僅占該領域的一小部分。GaN市場主要集中在低壓領域，而SiC主要用于高壓領域。他們的邊界約為600 V。

深圳市立維創展科技有限公司，優勢渠道提供ADI晶圓產品Waffle,專業此道，歡迎合作。

詳情了解ADI Wafer Products請點擊：/brand/68.html

或聯系我們的銷售工程師：0755-83050846 QQ: 3312069749

上一篇: DYTRAN 3168D2系列機載加速度計

下一篇: Bird-射頻專家精密功率傳感器

中文字幕爆乳julia女教师丨人妻少妇乱子伦精品无码专区电影丨а√天堂8资源在线官网丨亚洲国产成人丁香五月激情丨久久精品国产精品亚洲38